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潔凈室氧化爐管使用操作方法

    一般潔凈室所採用之氧化爐管為Lenton LTF 1200水平管狀式爐子，可放2英吋硅晶圓，加熱區(qū)大於50cm，高溫度可達1200?C并可連續(xù)24hr，大操作溫度為1150?C，溫控方式採用PID微電腦自動溫度控制器。

目的

    將硅晶片曝露在高溫且含氧的環(huán)境中一段時間后，我們可以在硅晶片的表面生長一層與硅的附著性良好，且電性符合我們要求的絕緣體-SiO2。

注意:

＊ 在開啟氧化爐之前，必須先確定【HEAT】Switch設(shè)定為【O】關(guān)閉的狀態(tài)。Switch在有電源供應(yīng)時【l】將會發(fā)光，而氧化爐也將開始加熱。

＊ 如果過溫保護裝置是好的，請確定警報點的設(shè)定於目前的使用過程中為恰當?shù)?。如果過熱保護裝置是好的，蜂嗚器會有聲音，在過溫控制操作中有警報一致的程序。

＊ 為了改善石英玻璃管或襯套熱量的碰撞，其加熱速率大不能超過3?C per min。

＊ 為了減少熱流失，必須確定正確的操作程序，適當?shù)氖褂媒^緣栓和放射遮蔽可以密封石英玻璃管。

＊ 在操作氧化爐時不要在大溫度下關(guān)閉氧化爐，以延長氧化爐的壽命。

操作步驟:

1.    檢查前一次操作是否有異常問題發(fā)生，并填寫操作記錄。

2.    檢查機臺狀態(tài)