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2011半導體無塵室操作使用須知半導體無塵室操作使用須知處理晶片時,必須戴上無纖維手套,使用清洗過的乾凈鑷子挾持晶片,請勿以手指或其他任何東西接觸晶片,遭碰觸污染過的晶片須經清洗,方得繼續(xù)使用:(1) 任
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10-18
2011潔凈室純水系統(tǒng)使用操作方法潔凈室純水系統(tǒng)使用操作方法1. 閥門控制(1) 閥門(VALVE)V1、V2、V3、V4、V6、V8、V10、V12、V13、V14、V16、V17、V19應保持全開。(2) 閥門V5、V7、V11、V18、V21應保持全關
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10-18
2011潔凈室光罩對對準機使用操作方法潔凈室光罩對對準機使用操作方法曝光機簡介 在半導體製程中,涂佈光阻后的晶片,須經UV紫外光照射曝光顯影,此臺曝光機為OAI 200系列,整合光罩對準、UV紫外光曝光顯影、U
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10-18
2011潔凈室熱蒸鍍機使用操作方法潔凈室熱蒸鍍機使用操作方法A.開機步驟1. 開機器背面的總電源開關。2. 開冷卻水,需先啟動D.I Water 系統(tǒng)。3. 開RP,熱機2分鐘。4. 開三向閥切至F.V的位置,等2分鐘。5. 開DP,熱機30分鐘(熱機
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10-18
2011潔凈室氧化爐管使用操作方法潔凈室氧化爐管使用操作方法 一般潔凈室所採用之氧化爐管為Lenton LTF 1200水平管狀式爐子,可放2英吋硅晶圓,加熱區(qū)大於50cm,高溫度可達1200?C并可連續(xù)24hr,大操作溫度為1150
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10-17
2011半導體無塵室黃光區(qū)操作及鑷子使用須知半導體無塵室黃光區(qū)操作及鑷子使用須知1. 濕度及溫度會影響對準工作,在黃光區(qū)應注意溫度及濕度,并應減少對準機附近的人,以減少濕、溫度的變化。2. 上妥光阻尚未曝光完成之晶片,
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10-17
2011無塵車間使用化學藥品使用須知無塵車間使用化學藥品使用須知1. 化學藥品的進出須登記,并知會管理人,并附上物質安全資料表(MSDS)於實驗室門口。2. 使用化學藥品前,請詳讀物質安全資料表(MSDS),并告知管理人。3.
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10-14
2011潔凈室涂布機使用操作方法潔凈室涂布機使用操作方法1. 首先將PUMP的電源插頭插入涂布機后面的電源插座。2. 將涂布機的插頭插入110V的電源插座,然后按下【POWER】鍵。3. 設定旋轉的轉速及時間,本機型為二段式加速